| مدارهای پلاستیکی |
| ساعت ٦:٠٠ ب.ظ روز ۱۳٩٠/٥/۱ کلمات کلیدی: |
|
امروزه امکان ساخت نمایشگرهای الکترونیکی روی مواد انعطافپذیر فراهم شده و حتی در کاربردهای محدودی، این فناوری جدید مورد استفاده قرار گرفته است؛ اما نیاز به توان پردازشی پرسرعت برای پیادهسازی این نمایشگرها باعث شده تــــــا هنوز هم ویفرهای سیلیکونی گران و البته سخت در آنها مورد استفاده قرار گیــــرد. در واقع اگر امکان داشت تمــــــام اجزای الکترونیکی را از مواد انعطافپذیر ساخت، این کار هم از نظر اقتصادی به صرفه بود و هم قابل اطمینانتر، ضمن آنکه زمینه طراحیهای جدیدی نیز فراهم میآمد. |
|
| وضعیت استفاده از انرژی بادی در سطح جهان |
| ساعت ٥:٥٩ ب.ظ روز ۱۳٩٠/٥/۱ کلمات کلیدی: |
|
رشد روزافزون تقاضای انرژی، افزایش استانداردهای زندگی، گرم شدن بیش از حد کره زمین و در نهایت مشکلات زیستمحیطی موجب شده تا هر روز شاهد پیشرفتهایی در زمینه فنآوری استفاده از منابع انرژی تجدیدپذیر باشیم یعنی استفاده از منابع لایزالی که خداوند به ما ارزانی داشته است. ماهیت پایانناپذیر این گونه انرژیها، روند رو به اتمام سوختهای فسیلی و سایر مزایای بارز این انرژیها موجب تشویق بشر در سرمایهگذاری در این راه بوده است. |
|
| روشهای مطالعه و بهبود تلفات |
| ساعت ٥:٥٧ ب.ظ روز ۱۳٩٠/٥/۱ کلمات کلیدی: |
|
روشهای مطالعه و بهبود تلفات را باید به دو روش کوتاه مدت و بلندمدت تقسیم کرد. |
|
| اصول خشک کردن ترانسفورماتورهای قدرت |
| ساعت ٥:٥٧ ب.ظ روز ۱۳٩٠/٥/۱ کلمات کلیدی: |
|
|
|
| ترانزیستور |
| ساعت ٥:٥٦ ب.ظ روز ۱۳٩٠/٥/۱ کلمات کلیدی: |
|
بصورت استاندارد دو نوع ترانزیستور بصورت PNP و NPN داریم. انتخاب نامه آنها به نحوه کنار هم قرار برای هریک از لایه های نیمه هادی که در یک ترانزیستور وجود دارد یک پایه در نظر گرفته شده است که بدون آنکه در این مطلب قصد بررسی دقیق نحوه کار یک ترانزیستور را داشته باشیم، قصد داریم ساده ترین مداری که می توان با یک ترانزیستور تهیه کرد را به شما معرفی کرده و کاربرد آنرا برای شما شرح دهیم. به شکل زیر نگاه کنید. بطور جداگانه بین E و C و همچنین بین E و B منابع تغذیه ای قرار داده ایم. مقاومت ها یی که در مسیر طرز کار ترانزیستور به اینصورت است، چنانچه پیوند BE را بصورت مستقیم بایاس (Bias به معنی اعمال ولتاژ و تحریک است) کنیم بطوری که این پیوند PN روشن شود (برای اینکار کافی است که به این پیوند حدود 0.6 تا 0.7 ولت با توجه به نوع ترانزیستور ولتاژ اعمال شود)، در آنصورت از مدار بسته شده میان E و C می توان جریان بسیار بالایی کشید. اگر به شکل دوم دقت کنید بوضوح خواهید فهمید که این عمل چگونه امکان پذیر است. در حالت عادی میان E و C هیچ مدار بازی وجود ندارد اما به محض آنکه شما پیوند BE را با پلاریته موافق بایاس کنید، با توجه به آنچه قبلا" راجع به یک پیوند PN توضیح دادیم، این پیوند تقریبا" بصورت اتصال کوتاه عمل می کند و شما عملا" خواهید توانست از پایه های E و C جریان قابل ملاحظه ای بکشید. (در واقع در اینحالت می توان فرض کرد که در شکل دوم عملا" لایه PN مربوط به BE از بین می رود و بین EC یک اتصال کوتاه رخ می دهد.) بنابراین مشاهده می کنید که با برقراری یک جریان کوچک Ib شما می توانید یک جریان بزرگ Ic را داشته باشید. این مدار اساس سوئیچ های الکترونیک در مدارهای الکترونیکی است. بعنوان مثال شما می توانید در مدار کلکتور یک رله قرار دهید که با جریان مثلا" چند آمپری کار می کند و در عوض با اعمال یک جریان بسیار ضعیف در حد میلی آمپر - حتی کمتر - در مدار بیس که ممکن است از طریق یک مدار دیجیتال تهیه شود، به رله فرمان روشن یا خاموش شدن بدهید. |
|
| فلیپ فلاپ |
| ساعت ٥:٥٥ ب.ظ روز ۱۳٩٠/٥/۱ کلمات کلیدی: |
|
انواع فلیپ فلاپ فلیپ فلاپ SRفلیپ فلاپ SR یک المان فیزیکی است که می تواند به عنوان یک عنصر تاخیر دهنده به کار گرفته شود. فلیپ فلاپ JK
فلیپ فلاپ T
فلیپ فلاپ D
این مدار تاخیر دهنده شبیه به یک عنصر تاخیر دهنده ساعت عمل می کند به این ترتیب که هر ورودی به آن می دهیم در یک فاصله زمانی مشخصی بعدا همان ورودی را به صورت خروجی دریافت می
|
|
| آمپلی فایر 18 وات بسیار ساده - بدون نیاز به پری آپلی فایر |
| ساعت ٥:٥٥ ب.ظ روز ۱۳٩٠/٥/۱ کلمات کلیدی: |
|
آمپلی فایر ۱۸ وات برای گرفتن 18 وات خروجی از این مدار تنها 150 میلی ولت در وردی نیاز دارید. فرکانس کاری این مدار بین 30 هرتز تا 20 کیلو هرتز می باشد. که محدوده شنوایی را به طور کامل پوشش خواهد داد.
چند نکته مهم :
لیست قطعات آمپلی فایر :
P1_____________22K Log.Potentiometer (Dual-gang for stereo) R1______________1K 1/4W Resistor C1____________470nF 63V Polyester Capacitor D1___________1N4148 75V 150mA Diode IC1________TLE2141C Low noise,high voltage,high slew-rate Op-amp Q1____________BC182 50V 100mA NPN Transistor J1______________RCA audio input socket لیست قطعات منبع تغذیه : C7,C8________4700µF 25V Electrolytic Capacitors D2_____________100V 4A Diode bridge D3_____________5mm. Red LED T1_____________220V Primary, 15 + 15V Secondary 50VA Mains transformer PL1____________Male Mains plug SW1____________SPST Mains switch |
|
| نیروگاه حرارتی |
| ساعت ٥:٥٤ ب.ظ روز ۱۳٩٠/٥/۱ کلمات کلیدی: |
|
نیروگاه حرارتی جهت تولید انرژی الکتریکی بکار میرود که در عمل پرههای توربین بخار توسط فشار زیاد بخار آب ، به حرکت در آمده و ژنراتور را که با توربین کوپل شده است، به چرخش در میآورد. در نتیجه ژنراتور انرژی الکتریکی تولید میکند. نیروگاه حرارتی به مقدار زیادی آب نیاز دارد. در نتیجه در محلهایی که آب به فراوانی یافت میشود، ترجیحا از این نوع نیروگاه استفاده میشود. چون انرژی الکتریکی را به روشهای دیگری ، مثل انرژی آب در پشت سدها (توربین آبی) ، انرژی باد (توربین بادی) ، انرژی سوخت (توربین گازی) و انرژی اتمی هم میتوان تهیه کرد. سوخت نیروگاه حرارتی شامل ، فروت و یا گازوئیل طبیعی است. |
|
| اضافه ولتاژهای رزونانس در ترانسفورماتورهای توزیع |
| ساعت ٥:٥۳ ب.ظ روز ۱۳٩٠/٥/۱ کلمات کلیدی: |
|
نتیجه طبیعی استفاده صنایع از ترانسفورماتورهای توزیع با ظرفیتهای بالاتر، افزایش احتمال بروز اضافه ولتاژها در وضعیتهای مختلف روزانه است . برای تعیین پارامترهای سیستم که می توانند باعث ایجاد اضافه ولتاژهای فرورزونانس شدید گردند، آزمایشهای کاملی توسط موسسه DSTAR انجام گرفته است . آزمایشات مذکور بر روی تعدادی ترانسفورماتور توزیع و تحت شرایط کار واقعی انجام شده است . در طول این آزمایشات، صدها بار عملیات کلیدزنی بر روی ترانسفورماتورهای توزیع با ولتاژهای متفاوت و با سیم پیچ ستاره زمین شده و اولیه مثلث انجام گردید. این پروژه بطور کلی ثابت کرد که در ترانسفورماتورهای با ظرفیت بالا که امروزه توسط صنایع مختلف مورد استفاده قرار می گیرند، احتمال ایجاد اضافه ولتاژ فرورزونانسی بیشتر از ترانسفورماتورهای دهه گذشته می باشد. |
|
| ترانسفورماتورهای ابررسانا |
| ساعت ٥:٥٢ ب.ظ روز ۱۳٩٠/٥/۱ کلمات کلیدی: |
|
ترانسفورماتورها یکی از مهمترین عناصر شبکه های انتقال و توزیع هستند . در ترانسفورماتورها انرژی الکتریکی در مس سیم پیچها ، آهن هسته ، تانک ترانس و سازه های نگهدارنده بصورت حرارت تلف می شود. حتی در زمانیکه ترانسفورماتور بدون بار است ، در هسته تلفات بی باری (NLL) بوجود می آید. در نتیجه مطالعات و بررسیهای انجام شده ، در 50 ساله اخیر محققان موفق شده اند با صرف هزینه ای دو برابر برای هسته ، تلفات بی باری را به یک سوم کاهش دهند. اخیراً با جایگزینی فلزات بیشکل و غیر بلوری (Amorphous) بجای آهن سیلیکونی درهسته ترانسفورماتورهای توزیع با قدرت نامی کوچکتر از 100 KVA ، تلفات بی باری باز هم کاهش یافته است . این کار هنوز در مورد ترانسفورماتورهای بزرگ با قدرت نامی بزرگتر از 500KVA انجام نشده است . اگرچه برای هر ترانسفورماتور ، 1 درصد توان نامی آن بعنــوان توان تلفـاتی در نظر گرفتـه می شود، اما باید توجه داشت که آزاد سازی بخش کوچکی از این تلفات در طول عمر ترانسفورماتور صرفه جوئی کلانی به همراه خواهد داشت . در ترانسفورماتورهای قدرت معمول ، تقریباً 80% از کل تلفات ، مربوط به تلفات بارداری ترانسفورماتور (LL) است که از این 80% ، سهم تلفات اهمی سیم پیچها 80 % بوده و 20 % دیگر مربوط به تلفات ناشی از جریانهای فوکو و شارهای پراکنده است . لذا تلاشهای زیادی جهت کاهش تلفات بارداری صورت می گیرد. در ابررساناها بعلت عدم وجود مقاومت اهمی در برابر جریان d c تلفات اهمی برابر با صفر است . لذا با استفاده از ابررساناها در ترانسفورماتورها، تلفات کل ترانسفورماتور، کاهش قابل ملاحظه ای خواهد یافت. در مقابل جریان ac ، در ابر رساناها تلفاتی از نوع تلفات فوکو رخ می دهد. گرمای بوجود آمده از این تلفات باید با استفاده از سیستم های خنک کننده دفع گردد.بررسیهای بعمل آمده حاکی از آن است که ترانسفورماتورهای ابررسانا با قدرت 10 MVA و بالاتر عملکرد نسبتا بهتری داشته و نسبت به ترانسفورماتورهای معمولی قیمت پایینتری خواهند داشت . |
|
| راهی به آینده VSC خطوط انتقال |
| ساعت ٥:٥۱ ب.ظ روز ۱۳٩٠/٥/۱ کلمات کلیدی: |
|
خطوط انتقال *VSC یا خطوط انتقال با مبدلهای منبع ولتاژی امروزه واقعیت و تحقق یافته و همچنان که جنبه های خاصی از آن کاربرد می یابد بیشتر مورد استفاده قرار می گیرند. اولین سیستم انتقالVSC تحت عنوان طراحی خطوط HVDC سبک توسط شرکت ABB ساخته شده است. خود مبدلهای منبع ولتاژی دارای کاربرد در کنترل ادوات FACTS و UPFC بوده است. اما چنانچه مبدلهای منبع ولتاژی بهمراه |
|
| آرشیو وبلاگ |
| مطالب اخیر |
| موضوعات وبلاگ |
|
|
گرفتن لایه های نیمه هادی و پلاریته آنها بستگی دارد. هر چند در اوایل ساخت این وسیله الکترونیکی و جایگزینی آن با لامپهای خلاء، ترانزستورها اغلب از جنس ژرمانیم و بصورت PNP ساخته می شدند اما محدودیت های ساخت و فن آوری از یکطرف و تفاوت بهره دریافتی از طرف دیگر، سازندگان را مجبور کرد که بعدها بیشتر از نیمه هادیی از جنس سیلیکون و با پلاریته NPN برای ساخت ترانزیستور استفاده کنند. تفاوت خاصی در عملکرد این دو نمونه وجود ندارد و این بدان معنی نیست که ترانزیستور ژرمانیم با پلاریته NPN یا سیلیکون با پلاریته PNP وجود ندارد.
ارتباط مدار بیرونی را به نیمه هادی ها میسر می سازد. این پایه ها به نامهای Base (پایه) ، Collector (جمع کننده) و Emitter (منتشر کننده) مشخص می شوند. اگر به ساختار لایه ای یک ترانزیستور دقت کنیم بنظر تفاوت خاصی میان Collector و Emitter دیده نمی شود اما واقعیت اینگونه نیست. چرا که ضخامت و بزرگی لایه Collector به مراتب از Emitter بزرگتر است و این عملا" باعث می شود که این دو لایه با وجود تشابه پلاریته ای که دارند با یکدیگر تفاوت داشته باشند. با وجود این معمولا" در شکل ها برای سهولت این دو لایه را بصورت یکسان در نظر میگیردند.
هریک از این منابع ولتاژ قرار دادیم صرفا" برای محدود کردن جریان بوده و نه چیز دیگر. چرا که در صورت نبود آنها، پیوندها بر اثر کشیده شدن جریان زیاد خواهند سوخت.
این المان فیزیکی دارای دو ورودی به نام های R و S می باشد و دو خروجی دارد که یکی متمم دیگری است. 

کنیم. 
